买卖IC网 >> 产品目录 >> TSC966CW RPG 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

TSC966CW RPG

库存数量:可订货
制造商:Taiwan Semiconductor
描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor
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制造商 Taiwan Semiconductor
配置
晶体管极性
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
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  • TSC966CW RPG 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,500 0.189 472.5
    5,000 0.189 945